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FAQ
MOS管的推挽速度是什么?

來源:中芯半導體 時間:2024/4/24 9:56:47

當MOS管驅動能力不足時,我們會使用推挽電路來放大電流,但是MOS管明明是壓控型器件,為什么要去考慮電流大小呢?推挽工作原理:由電源IC發出占空比信號,也就是這個方波通過電阻限流,到達三極管的基極。這里的上管是NPN,下管是PNP。當信號為高電平輸出,到達三極管基極時,上管導通,隨后MOS管導通。當輸出低電平時,上管截止下管導通。隨后MOS管通過電阻放電到地,最后截止。


也就是說推挽電路通過兩個三極管輪流工作,進行一推一挽來達到推挽的功能。這里的R1的作用,是用來確定開機時候的初始電位,以防開機誤觸發MOS管以及關機放電。


我們通常會使用推挽電路是因為有時一些IC或者CPU的電流比較小,不足以驅動MOS管,所以加入推晚來增加驅動能力。那為什么MOS管是壓控性器件,還需要考慮電流大小進行驅動呢?它最大的峰值驅動電流這是一個IC直接驅動電路,首先需要從IC手冊中了解,它最大的峰值驅動電流。C1 C2決定了MOS管被驅動時的導通速度,當IC電流比較小時,C1 C2會比較大,這時MOS管的驅動速度會變慢,在有些電路中是不適應的。原因很簡單,這是因為MOS管的輸入電容CGS和CGD,這兩個電容和芯片的面積有一定關系。MOS管本質上雖然是壓控型器件,但柵極電位的上升與下降,本質上是對CGS CGD電容的充放電速度。因此當MOS管驅動能力不足時,就需要利用推挽來進行放大電流了。

凌訊微電子是一家專注功率半導體器件研發、封裝測試、銷售于一體的國家高新技術企業,致力于成為卓越的功率半導體器件制造商,助力功率半導體核心器件國產化,能夠為客戶提供高質量,高可靠性的功率器件產品及全方位的技術支持,現有肖特基、LowVF肖特基、快恢復、高壓MOS、中低壓MOS、超結MOS、IGBT單管及SiC(碳化硅)二極管等主力產品線,產品廣泛應用于各類電源適匹器、LED照明、無刷馬達,鋰電管理,逆變等領域。