各位工程師應(yīng)該已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了，我們?cè)谑褂肧i MOSFET的時(shí)候，只需要使用10V的驅(qū)動(dòng)電壓就可以了，但是換成SiC MOSFET的時(shí)候，我們需要更高的驅(qū)動(dòng)電壓，一般會(huì)達(dá)到15-20V之間。這就使得我們?cè)谑褂肧iC MOSFET去替代Si MOSFET的時(shí)候需要對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行一個(gè)調(diào)整之后才能使用。

       那么到底是什么原因，不得不大費(fèi)周章去使用成高的 驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET呢？

       首先，我們來(lái)看下SiC MOSFET和Si MOSFET的轉(zhuǎn)移特性曲線對(duì)比，Si MOSFET當(dāng)VGS達(dá)到8V之后，即使繼續(xù)增大VGS，SJ-MOSFET也無(wú)法輸出更大的電流了。這就說(shuō)明就算我們?nèi)ナ褂贸^(guò)10V的驅(qū)動(dòng)電壓也沒(méi)辦法再進(jìn)一步提升SJ-MOSFET的通流能力。SiC MOSFET的IDS如圖所示，是一直隨著VGS的增大而增大的。

       轉(zhuǎn)移特性上的一點(diǎn)區(qū)別也會(huì)體現(xiàn)在輸出特性上。Si MOSFET當(dāng)VGS大于8V的之后，輸出特性曲線基本是重合的，這與轉(zhuǎn)移特性曲線在VGS大于8V完全水平這一特征吻合。SiC MOSFET即使驅(qū)動(dòng)電壓高于15V，而不同VGS下的曲線依舊有非常明顯的間隔。只有使用更高的驅(qū)動(dòng)電壓我們才能獲得更小的 RDS（on），充分挖掘SiC MOSFET的通流能力。但是Si MOSFET就沒(méi)這個(gè)需求了。

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