IGBT的開關過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發射極之間存在著寄生電容，因此IGBT的開通與關斷就相當于對CGE進行充電與放電。假設IGBT初始狀態為關斷狀態，即VGE為負壓VGC-，后級輸出為阻感性負載，帶有續流二極管。

       由于寄生參數以及負載特性的影響，IGBT的實際開通與關斷過程比較復雜，如圖1為IGBT的開通關斷過程示意圖，圖中柵極驅動波形較為理想化，集電極電流以及集電極——發射極電壓的波形大致上是實際波形，只有細節被理想化。

       凌訊微電子是一家專注功率半導體器件研發、封裝測試、銷售于一體的國家高新技術企業，致力于成為卓越的功率半導體器件制造商，助力功率半導體核心器件國產化，能夠為客戶提供高質量，高可靠性的功率器件產品及全方位的技術支持，現有肖特基、LowVF肖特基、快恢復、高壓MOS、中低壓MOS、超結MOS、IGBT單管及SiC（碳化硅）二極管等主力產品線，產品廣泛應用于各類電源適匹器、LED照明、無刷馬達，鋰電管理，逆變等領域。