IGBT的開關過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發射極之間存在著寄生電容，因此IGBT的開通與關斷就相當于對CGE進行充電與放電。假設IGBT初始狀態為關斷狀態，即VGE為負壓VGC-，后級輸出為阻感性負載，帶有續流二極管。
由于寄生參數以及負載特性的影響，IGBT的實際開通與關斷過程比較復雜，如圖1為IGBT的開通關斷過程示意圖，圖中柵極驅動波形較為理想化，集電極電流以及集電極——發射極電壓的波形大致上是實際波形，只有細節被理想化。
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