中芯IGBT單管：擊穿電壓覆蓋650V至1200V，配合先進的封裝技術(shù)，為您提供10A至75A的電流選擇范圍。它的特點是：開關(guān)速度快、驅(qū)動功率小、飽和壓降低、容量大。多應(yīng)用于：4C(通信、計算機、消費電子、汽車電子)、航空航天、國防軍工、新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

中芯IGBT單管典型型號推薦：LGT40N65/LGT50N65/LGT75N65，LGT15N120/LGT40N120/LGT50N120/LGT75N120

中芯是一家專注功率半導(dǎo)體器件研發(fā)、封裝測試、銷售于一體的國家高新技術(shù)企業(yè)，致力于成為卓越的功率半導(dǎo)體器件制造商，助力功率半導(dǎo)體核心器件國產(chǎn)化，能夠為客戶提供高質(zhì)量，高可靠性的功率器件產(chǎn)品及全方位的技術(shù)支持，現(xiàn)有肖特基、LowVF肖特基、快恢復(fù)、高壓MOS、中低壓MOS、超結(jié)MOS、IGBT單管及SiC(碳化硅)二極管等主力產(chǎn)品線，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各類電源適匹器、LED照明、無刷馬達，鋰電管理，逆變等領(lǐng)域。